Samsung inicia a produção de chips de memória flash “3D”
Tecnologia permite a produção de memória mais rápida, mais durável e com maior capacidade
Por Agam Shah, PCWorld EUA
06/08/2013- (Atualizado em 06 de agosto de 2013 às 17h06)
A Samsung iniciou a produção de chips de memória flash que afirma serem duas vezes mais rápidos e até 10 vezes mais duráveis que os atualmente usados em dispositivos móveis.
Batizada de memória V-NAND, ela emprega uma estrutura tridimensional onde os módulos de memória são empilhados verticalmente, disse Steve Weinger, diretor de marketing de memória NAND na Samsung Semiconductor, uma divisão da Samsung.
A Samsung já está produzindo os novos chips de memória em larga escala e entregou unidades a seus clientes para qualificação e testes. A tecnologia provavelmente será usada em unidades SSD (discos de estado sólido) para servidores ainda neste ano, e em dispositivos móveis no ano que vem, disse Weinger.
A memória “3D” é notavelmente diferente da memória NAND flash convencional, onde os módulos de memória são colocados lado-a-lado. A Samsung empilhou 24 camadas de NAND flash em um único chip, ligadas por um sistema de interconexão proprietário que Weinger descreveu como o “ingrediente secreto” que torna o armazenamento em 3D mais rápido que a NAND convencional.
O empilhamento em 3D também permite a criação de módulos de memória com maior capacidade, disse Weinger. Inicialmente os produtos poderão estar disponíveis em capacidades que vão de 128 GB a 1 TB.
Esta é a primeira vez em que a tecnoogia de empilhamento de chips foi usada em NAND flash, de acordo com Weinger. A Samsung está adotando o design tridimensional porque colocar os módulos de memória lado-a-lado tem se tornado cada vez mais difícil à medida em que o tamanho dos chips é reduzido, disse ele.
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